Exposure,Etching and Deposition service
曝光機 |
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項目 |
規格 |
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樣品大小 |
直徑4,6,8 吋 |
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光罩規格 |
5,7,9 吋 |
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燈箱功率 |
660瓦 ~ 940瓦 |
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波長 |
Broad Band: 365nm / 400nm / 436 nm |
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光強度 |
> 20 mW / cm2 based on 365 nm |
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燈源 |
UV汞燈 |
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光強均一性 |
< 3 % |
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有效曝光面積 |
最大200 mm x 200 mm |
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曝光模式 |
近接式微影 / 軟式接觸/ 硬式接觸/ |
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對位經度 |
± 2 μm |
感應耦合電漿蝕刻機（ICP） |
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項目 |
規格 |
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樣品大小 |
直徑4,6,8 吋 |
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蝕刻方式 |
高密度電漿蝕刻 |
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電子束強度 |
上電極: 300W 13.56 MHz |
| 下電極: 1KW 2.0 MHz | |
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蝕刻速率 |
矽 4.0 um/min、藍寶石 0.06 um/min |
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多種材料蝕刻及用途 |
介電質(SiNx, SiO2, a-Si, SiOxNy, SiC, Ta2O5 |
| 聚合物 (photoresist, polyimide, BCB, parylene) | |
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其他用途 |
表面清潔或表面改質 |
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可用氣體 |
C4F8、SF6、Ar、O2、N2 |
真空蒸鍍系統 |
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項目 |
規格 |
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樣品大小 |
直徑 4~8 吋 |
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真空度 |
8E - 7 torr |
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濺鍍靶材 |
銅、鉻、鎢、鈦、銀、金 |
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均勻度 |
± 5 ％ |